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带有Moir'E超级晶格的纳米光子设备目前由于光子的独特性和高效率控制而引起了广泛的兴趣。到目前为止,实验研究主要集中在单层设备上,即,将两个或多层光子晶体图案合并并蚀刻在单一材料中。相比之下,具有多层材料的扭曲的光子晶体在纳米化技术中引起了挑战,因为上层材料的生长通常需要没有纳米结构的光滑底层。在此,我们在石墨/Si 3 N 4异质结构中制造了扭曲的杂波光子晶体。我们使用干燥转移方法将石墨堆放在底部Si 3 N 4的顶部,并具有预蚀刻的光子晶体图案。选择性干蚀刻食谱用于蚀刻两个光子晶体层,从而提高了对齐的质量和准确性。在实验中清楚地观察到了从Moir´e位点的可见波长约700 nm处的腔光子模式。这些结果揭示了杂词纳米光量设备的实验图,并为在新的自由度下设计灵活性和控制光子开辟了道路。

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